HGO züchtet Ho:YLF-Laserkristalle mithilfe der Czochralski-Technologie. Ho:YLF ist ein sehr attraktives Lasermaterial, da die Lebensdauer des oberen Laserniveaus viel länger ist (~ 14 ms) als bei Ho:YAG und die Emissionsquerschnitte höher sind. Außerdem ist die thermische Linse in Ho:YLF viel schwächer, was dazu beiträgt, selbst bei intensivem Endpumpen beugungsbegrenzte Strahlen zu erzeugen.
Der Hauptvorteil des direkten Pumpens des Ho 5 I 7 besteht darin, dass es nicht von einer Energieübertragung abhängig sein muss, was zu verschiedenen Strahlungs- und Nichtstrahlungsverlusten führt. Up-Conversion-Verluste, die sich nachteilig auf hochenergetische gütegeschaltete Laser auswirken, werden eliminiert.
Produktherkunft:
ChinaHafen:
Fuzhou, ChinaVorlaufzeit:
3-4weeksBeschreibungen:
HGO züchtet Ho:YLF-Kristalle mit Holmium-dotiertem Yttrium-Lithium-Fluorid. Ho:YLF ist ein sehr attraktives Lasermaterial, da die Lebensdauer des oberen Laserniveaus viel länger ist (~ 14 ms) als bei Ho:YAG und die Emissionsquerschnitte höher sind. Außerdem ist die thermische Linse in Ho:YLF viel schwächer, was dazu beiträgt, selbst bei intensivem Endpumpen beugungsbegrenzte Strahlen zu erzeugen.
Optische und physikalische Eigenschaften von Ho:YLF-Kristallen
Wellenlänge des Absorptionspeaks |
1940nm |
Absorptionsquerschnitt am Peak |
1,2 ×10 -20 cm² |
Absorptionsbandbreite bei Spitzenwellenlänge |
~18 Nanometer |
Laserwellenlänge |
2060 Nanometer |
Lebensdauer von 5 I 7 Energieniveau |
10 ms |
Emissionsquerschnitt |
1,8× 10 -20 cm2 |
Brechungsindex bei 1064 nm |
n o = 1.448, n e = 1.470 |
dn/dT |
–4,6 × 10 –6 (||c) K –1 , –6,6 × 10 –6 (||a) K –1 |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
10,1 × 10 –6 (||c) K –1 , 14,3 × 10 –6 (||a) K –1 |
Wärmeleitfähigkeit /(W·m-1·K-1) |
6 Wm- 1 K -1 |
Kristallstruktur |
tetragonal |
Schmelzpunkt |
819 °C |
Dichte |
3,95 g/cm³ |
Mohs-Härte |
5 |
Typisches Dopingniveau |
0,5-1% |
HGO bietet Pr:YLF-Spezifikationen:
Doping (atm%): |
0,5 % ~ 1 % |
Orientierung: |
a-Schnitt/c-Schnitt kristalline Richtung |
Wellenfrontverzerrung: |
λ/4 pro Zoll bei 632,8 nm |
Maßtoleranzen : |
+0,0/-0,05 mm, Länge: ±0,1 mm |
Oberflächenqualität: |
10/5 Scratch/Dig MIL-O-1380A |
Parallelität: |
< 10 ″ |
Rechtwinkligkeit: |
< 5 ' |
Klare Blende: |
> 90 % |
Oberflächenebenheit: |
< λ/10 bei 632,8 nm |
Fase: |
< 0,1 mm bei 45o |
Barrel-Finish |
50-80 Mikrozoll (RMS), |
Größe |
Auf Kundenwunsch |
Glasur |
AR/HR/PR-Beschichtung nach Kundenwunsch |
Schadensschwelle |
750 MW/CM2 bei 1064 nm, TEM00, 10 ns, 10 Hz |
Qualitätsgarantiezeitraum |
Ein Jahr bei bestimmungsgemäßem Gebrauch |
Andere YLF-basierte Nd/Pr/Tm/Yb/Er/Ce-YLF sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich.
Vorteile:
1) Lange Lebensdauer des oberen Laserniveaus ~ 15 ms
2) Höherer Emissionsquerschnitt
3) Niedriges dn/dT –> schwacher thermischer Linseneffekt
4) Höchste (nach unserem besten Wissen) CW-Leistung von 21 W für 2-μm-Ho:YLF-Laser
5) Effizienter gütegeschalteter Betrieb (bis zu 37 mJ pro Impuls)
Warum HGO wählen?
HG OPTRONICS.,INC. Züchten von YLF-basierten Kristallen im eigenen Haus mit CZ-Wachstumstechnologie. Die Verwendung hochwertiger Ausgangsmaterialien für Kristallzüchtung, Whole-Boule-Interferometrie, präzise Untersuchung von Streupartikeln im Kristall mit He-Ne-Laser und sorgfältige Messung von Volumenverlusten mit Spektrophotometern stellen sicher, dass jeder Kristall den Kundenspezifikationen entspricht und eine gute Leistung erbringt.
Und basierend auf unserer Diffusionsbonding-Technologie stehen verschiedene YLF-basierte Konfigurationen zur Verfügung,